RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Comparez
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Note globale
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
69
Autour de -146% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
3.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
28
Vitesse de lecture, GB/s
6.4
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
3.7
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1129
3693
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link