RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Comparez
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Note globale
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
69
Autour de -200% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
3.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
23
Vitesse de lecture, GB/s
6.4
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
3.7
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1129
3260
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link