Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

总分
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

总分
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    23 left arrow 69
    左右 -200% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    17.5 left arrow 6.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    14.6 left arrow 3.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    69 left arrow 23
  • 读取速度,GB/s
    6.4 left arrow 17.5
  • 写入速度,GB/s
    3.7 left arrow 14.6
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1129 left arrow 3260
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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