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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
39
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
33
读取速度,GB/s
11.7
15.5
写入速度,GB/s
7.2
11.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2854
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
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