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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
69
左右 -109% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
33
读取速度,GB/s
3,325.1
16.2
写入速度,GB/s
1,441.2
12.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3116
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
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Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
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