RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Comparez
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Note globale
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
69
Autour de -123% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.5
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
3.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
31
Vitesse de lecture, GB/s
6.4
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
3.7
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1129
2361
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link