RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Porównaj
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
69
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
6.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
3.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
31
Prędkość odczytu, GB/s
6.4
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
3.7
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1129
2361
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link