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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparez
Kingston 9965669-018.A00G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Raisons de considérer
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
31
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2460
2925
Kingston 9965669-018.A00G 16GB Comparaison des RAM
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Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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