RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Comparez
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Note globale
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
75
Autour de -103% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.5
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
2,036.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,986.4
9.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,036.1
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
714
1949
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link