RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
75
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.5
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
2,036.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,986.4
9.5
Скорость записи, Гб/сек
2,036.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
714
1949
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link