RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1218
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link