RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Comparez
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Note globale
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Note globale
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,036.1
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
75
Autour de -63% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
46
Vitesse de lecture, GB/s
3,986.4
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,036.1
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
714
2325
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link