RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Comparez
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Note globale
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Note globale
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
54
75
Autour de -39% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
2,036.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
54
Vitesse de lecture, GB/s
3,986.4
10.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,036.1
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
714
2277
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link