RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Comparez
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Note globale
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
50
Autour de 46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
50
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2324
2326
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology ST51264BA1339.16FM 4GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link