RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3478
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link