RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Comparez
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Note globale
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
42
Autour de -133% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
18
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2095
3529
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link