RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Comparez
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Note globale
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Note globale
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
76
Autour de 64% latence réduite
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
5.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
76
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.7
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1435
1718
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT25664BD160BJ.C4F 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link