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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
比较
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
总分
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
总分
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
76
左右 64% 更低的延时
需要考虑的原因
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
5.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
76
读取速度,GB/s
10.0
14.4
写入速度,GB/s
5.7
7.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1435
1718
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
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