RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Comparez
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Note globale
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Note globale
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
52
Autour de 48% latence réduite
Raisons de considérer
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
5.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
52
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.7
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1435
2169
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT25664BD160BJ.C4F 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link