RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
40
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2078
3756
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5474-041.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link