RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Comparez
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Note globale
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.3
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1857
3938
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905474-043.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link