RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Comparez
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Note globale
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.1
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2009
3302
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link