Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 29

Около 7% меньшая задержка

G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.4 13.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.6 7.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 29
Скорость чтения, Гб/сек

13.1 17.4
Скорость записи, Гб/сек

7.7 13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2009 3302

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB

модули RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB

Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB

Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Kingston 9905625-139.A00G 16GB

Kingston 9905625-139.A00G 16GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB

модули RAM