RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Comparez
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Note globale
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
34
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.1
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2009
2902
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link