Comparaison de la RAM Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Note globale

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

31 35

Autour de 11% latence réduite

Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15.7 11.7

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

11.8 7.2

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 12800

Autour de 1.66 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1990 2767

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns