Confronto tra le RAM Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Punteggio complessivo

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

31 35

Intorno 11% latenza inferiore

Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.7 11.7

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

11.8 7.2

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 12800

Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1990 2767

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns