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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Comparez
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Note globale
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
39
Autour de 31% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.1
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2009
2782
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
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