RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Comparez
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Note globale
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Note globale
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.6
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
50
Autour de -6% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
47
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1899
2308
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.T16 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link