RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB против Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.6
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
50
Около -6% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
47
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
10.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1899
2308
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.T16 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link