RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Comparez
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Note globale
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Note globale
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
50
Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1899
3046
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.T16 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link