RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Note globale
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
50
Autour de -117% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
23
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1899
2532
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.T16 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link