Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

30 31

Autour de 3% latence réduite

Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

13.9 8.8

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.0 5.6

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 10600

Autour de 1.6 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1344 2236

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns