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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
31
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
8.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
5.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
31
Velocidade de leitura, GB/s
8.8
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
5.6
8.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1344
2236
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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