RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Comparez
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Note globale
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
30
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
21
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1917
4230
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link