RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Comparez
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Note globale
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
31
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
31
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1620
3318
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link