RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
3318
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link