RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Comparez
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Note globale
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Note globale
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
79
Autour de 66% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
79
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1620
1710
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link