RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Comparez
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Note globale
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
59
Autour de 54% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
59
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1620
1954
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link