RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Comparez
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Note globale
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
27
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
18
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1620
3536
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link