RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
27
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
18
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
3536
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link