RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
27
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
18
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
3536
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link