RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
37
Autour de 27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.5
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
37
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
9.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
1949
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link