RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
36
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.8
9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.2
5.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
36
Vitesse de lecture, GB/s
9.0
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.7
7.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1274
2220
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparaison des RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link