RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
2806
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link