RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2806
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link