RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
2511
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link