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Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
Note globale
AMD R744G2606U1S 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
76
Autour de 64% latence réduite
Raisons de considérer
AMD R744G2606U1S 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
76
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2035
1809
Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB Comparaison des RAM
AMD R7S44G2606U1S 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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