RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Comparez
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Note globale
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
69
Autour de -86% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
4.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
14900
Autour de 1.72 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
37
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
4.1
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
25600
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1116
3355
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link