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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Comparez
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Note globale
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Note globale
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
69
71
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
4.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14900
Autour de 1.29 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
71
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
4.1
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
19200
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1116
1767
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparaison des RAM
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Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
INTENSO 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
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