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Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Comparez
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Note globale
Kingston K531R8-MIN 4GB
Note globale
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.7
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
21.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
17.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2445
3793
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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