RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Comparez
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Note globale
Kingston K531R8-MIN 4GB
Note globale
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston K531R8-MIN 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2445
3401
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link